DAMI220N200
Modul; einzelner Transistor; 200V; 180A; SOT227B; schraubbar; 560W
Hersteller: DACO Semiconductor
Kennzeichnung des Herstellers:
DAMI220N200
Symbol TME:
DAMI220N200-DCO
Technische Daten
Hersteller | DACO Semiconductor | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 180A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 7,8mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 760A | |
Verlustleistung | 560W | |
Gate-Source Spannung | -20...20V | |
Betriebstemperatur | -55...150°C | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.02 g
Zertifikate
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* DAMI220N200Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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