DAMI280N200
Modul; einzelner Transistor; 200V; 210A; SOT227B; schraubbar; 800W
Hersteller: DACO Semiconductor
Kennzeichnung des Herstellers:
DAMI280N200
Symbol TME:
DAMI280N200-DCO
Technische Daten
Hersteller | DACO Semiconductor | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 210A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 6mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 850A | ||
Verlustleistung | 800W | ||
Gate-Source Spannung | -20...20V | ||
Betriebstemperatur | -55...150°C | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36 g
Zertifikate
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* DAMI280N200Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 13 st