DAMI320N100
Modul; einzelner Transistor; 100V; 280A; SOT227B; schraubbar; 424W
Hersteller: DACO Semiconductor
Kennzeichnung des Herstellers:
DAMI320N100
Symbol TME:
DAMI320N100-DCO
Technische Daten
Hersteller | DACO Semiconductor | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 280A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,1mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 900A | ||
Verlustleistung | 424W | ||
Gate-Source Spannung | -20...20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.96 g
Zertifikate
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* DAMI320N100Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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