DDB6U50N16W1RBPSA1
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
DDB6U50N16W1RBPSA1
Symbol TME:
DDB6U50N16W1RBPSA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper | ||
Rückspannung max. | 1,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | ||
Gehäuse | AG-EASY1B | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 100A | ||
Technologie | TRENCHSTOP™ | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* DDB6U50N16W1RBPSA1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 45.67 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 54.34 EUR