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DHG100X650NA

Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; 100A

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
DHG100X650NA
Symbol TME:
DHG100X650NA

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Diodenl
Struktur des Halbleiters
doppelt unabhängig
Rückspannung max.
650V
Vorwärtsstrom
50A x2
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Vorwärtsstrom max.
100A
Mechanische Montage
schraubbar
Verpackungs-Art
Tube
Technologie
Sonic FRD™
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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DHG100X650NA
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