FF300R12KE3
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FF300R12KE3
Symbol TME:
FF300R12KE3
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 300A | |
Gehäuse | AG-62MM-1 | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 600A | |
Verlustleistung | 1,45kW | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht336.3 g
Zertifikate
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* FF300R12KE3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 172.14 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 204.84 USD