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Hersteller	INFINEON TECHNOLOGIES
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke, buck chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	75A
Gehäuse	AG-ECONO3-3
Anwendung	Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	150A
Verlustleistung	385W
Technologie	EconoPIM™ 3
Mechanische Montage	schraubbar

FP75R12KT4

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A

Technische Daten