G3R20MT12N
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; schraubbar; 365W
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
G3R20MT12N
Symbol TME:
G3R20MT12N
Technische Daten
Hersteller | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 74A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 20mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 365W | |
Technologie | G3R™, SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Source Spannung | -5...15V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.39 g
Zertifikate
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* G3R20MT12NAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st