G3R20MT12N
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; schraubbar; 365W
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller-Nr.:
G3R20MT12N
Symbol TME:
G3R20MT12N
Technische Daten
Hersteller | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 74A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 20mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 365W | |
Technologie | G3R™, SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Source Spannung | -5...15V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.39 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12N
63 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Nettopreis für Mengen von 1 st - 41.14 GBPBruttopreis für Mengen von 1 st - 48.96 GBP
Nettopreis für Mengen von 5 st - 39.53 GBPBruttopreis für Mengen von 5 st - 47.03 GBP
Nettopreis für Mengen von 10 st - 38.78 GBPBruttopreis für Mengen von 10 st - 46.15 GBP
Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st