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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	100A
Gehäuse	C6 62mm
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	200A
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD100PIY120C6SN

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V

Technische Daten