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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 10A | |
Gehäuse | F1.1 | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 20A | |
Technologie | Trench FS IGBT | |
Mechanische Montage | schraubbar |