GD10PJY120F4S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F4S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD10PJY120F4S
Availability: OutOfStock

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

GD10PJY120F4S

Symbol TME:

GD10PJY120F4S

Nettopreis für Mengen von 1 st - 37.96 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 45.17 USD

Nettopreis für Mengen von 3 st - 33.55 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 39.92 USD

Nettopreis für Mengen von 10 st - 30.18 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 35.91 USD

Nettopreis für Mengen von 25 st - 28.09 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 33.43 USD

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	10A
Gehäuse	F4.1
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	20A
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar