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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 200A | ||
Gehäuse | C6 62mm | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 400A | ||
Technologie | Trench FS IGBT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |