GD20PJX65L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD20PJX65L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD20PJX65L2S
Availability: OutOfStock

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

GD20PJX65L2S

Symbol TME:

GD20PJX65L2S

Nettopreis für Mengen von 1 st - 34.60 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 41.17 EUR

Nettopreis für Mengen von 3 st - 30.49 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 36.28 EUR

Nettopreis für Mengen von 12 st - 27.38 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 32.58 EUR

Nettopreis für Mengen von 24 st - 25.57 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 30.43 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	20A
Gehäuse	L2.2
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	40A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar