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Hersteller	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	Diodenl
Struktur des Halbleiters	doppelt unabhängig
Rückspannung max.	650V
Vorwärtsstrom	108A x2
Gehäuse	SOT227B
Vorwärtsspannung max.	1,8V
Strom im max. Impuls	0,44kA
Elektrische Montage	schraubbar
Vorwärtsstrom max.	231A
Mechanische Montage	schraubbar
Eigenschaften von Halbleiterelementen	MPS
Verpackungs-Art	Tube
Technologie	SiC
Bereitschaftszeit	10ns

GD2X100MPS06N

Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; 231A

Technische Daten