GD2X100MPS12N
Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 1,2kV; If: 100Ax2; SOT227B
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
GD2X100MPS12N
Symbol TME:
GD2X100MPS12N
Technische Daten
Hersteller | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Diodenl | ||
Struktur des Halbleiters | doppelt unabhängig | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Vorwärtsstrom | 100A x2 | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Vorwärtsspannung max. | 1,9V | ||
Strom im max. Impuls | 0,8kA | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Vorwärtsstrom max. | 420A | ||
Mechanische Montage | schraubbar | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | MPS | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Technologie | SiC | ||
Bereitschaftszeit | 10ns |
Bruttogewicht28 g
Zertifikate
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* GD2X100MPS12NAnzahl Stück (Vielfache: 500)
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Nettopreis für Mengen von 500 st - 62.11 USDBruttopreis für Mengen von 500 st - 73.91 USD