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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	300A
Gehäuse	C7
Elektrische Montage	Press-in PCB, schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	600A
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD300HTY120C7S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 300A

Technische Daten