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GD3600SGX170C4S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsames Gate; IGBT x3

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD3600SGX170C4S
Symbol TME:
GD3600SGX170C4S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
gemeinsames Gate, Transistor/Transistor
Topologie
IGBT x3
Rückspannung max.
1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom
3,6kA
Gehäuse
C4 140mm
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
7,2kA
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht2.3 kg
Zertifikate
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