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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Topologie	einzelner Transistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	400A
Gehäuse	C2 62mm
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	800A
Technologie	NPT Ultra Fast IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD400SGU120C2S

Modul: IGBT; einzelner Transistor; einzelner Transistor; Ic: 400A

Technische Daten