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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 40A | |
Gehäuse | C5 45mm | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 80A | |
Technologie | Advanced Trench FS IGBT | |
Mechanische Montage | schraubbar |