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GD50FSX65L2S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

Produktfamilie

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD50FSX65L2S
Symbol TME:
GD50FSX65L2S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, NTC Thermistor
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Gehäuse
L2.1
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
100A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht24 g
Zertifikate
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GD50FSX65L2S
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Nettopreis für Mengen von 3 st - 32.35 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 38.49 EUR
Nettopreis für Mengen von 12 st - 29.14 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 34.68 EUR
Nettopreis für Mengen von 24 st - 27.14 EURBruttopreis für Mengen von 24 st - 32.29 EUR