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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	50A
Gehäuse	L3.0
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	100A
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD50PJX65L3S

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Technische Daten