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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	gemeinsames Gate, Transistor/Transistor
Topologie	IGBT x2
Rückspannung max.	1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom	800A
Gehäuse	C3 130mm
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	1,6kA
Technologie	Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD800SGX170C3S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsames Gate; IGBT x2

Technische Daten