IXA20PG1200DHGLB
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV; SMT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXA20PG1200DHGLB
Symbol TME:
IXA20PG1200DHGLB
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 23A | |
Gehäuse | SMPD-B | |
Elektrische Montage | SMT | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 45A | |
Verlustleistung | 130W | |
Technologie | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Bruttogewicht7.983 g
Zertifikate
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* IXA20PG1200DHGLBAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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