IXBN75N170
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXBN75N170
Symbol TME:
IXBN75N170
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,7kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 680A | ||
Verlustleistung | 625W | ||
Technologie | BiMOSFET™ | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.09 g
Zertifikate
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* IXBN75N170Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 114.03 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 135.71 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 102.46 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 121.93 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 95.63 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 113.80 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st