IXDN75N120
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXDN75N120
Symbol TME:
IXDN75N120
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 190A | ||
Verlustleistung | 660W | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht34.72 g
Zertifikate
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* IXDN75N120Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 34.23 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 40.74 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st