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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	82A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	49mΩ
Drainstrom im Impuls	300A
Verlustleistung	960W
Technologie	HiPerFET™, Q3-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	255nC
Bereitschaftszeit	250ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN100N50Q3

Modul; einzelner Transistor; 500V; 82A; SOT227B; schraubbar; 960W

Technische Daten