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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	650V
Drainstrom	78A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	30mΩ
Drainstrom im Impuls	200A
Verlustleistung	595W
Technologie	HiPerFET™, X2-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	183nC
Bereitschaftszeit	200ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN100N65X2

Modul; einzelner Transistor; 650V; 78A; SOT227B; schraubbar; 595W

Technische Daten