+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Registrierung

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	650V
Drainstrom	108A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	24mΩ
Drainstrom im Impuls	240A
Verlustleistung	890W
Technologie	HiPerFET™, X2-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	240nC
Bereitschaftszeit	220ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN120N65X2

Modul; einzelner Transistor; 650V; 108A; SOT227B; schraubbar; 890W

Technische Daten