IXFN140N25T
Modul; einzelner Transistor; 250V; 120A; SOT227B; schraubbar; 690W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN140N25T
Symbol TME:
IXFN140N25T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 250V | |
Drainstrom | 120A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 17mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 690W | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 255nC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.12 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXFN140N25TAnzahl Stück (Vielfache: 300)
0 auf Lager bei TME
Produkt auf Sonderbestellung
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st