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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	300V
Drainstrom	130A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	19mΩ
Drainstrom im Impuls	444A
Verlustleistung	900W
Technologie	GigaMOS™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	376nC
Bereitschaftszeit	200ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN160N30T

Modul; einzelner Transistor; 300V; 130A; SOT227B; schraubbar; 900W

Technische Daten