IXFN26N120P
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 695W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN26N120P
Symbol TME:
IXFN26N120P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 23A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,5Ω | |
Drainstrom im Impuls | 60A | |
Verlustleistung | 695W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 255nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.12 g
Zertifikate
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* IXFN26N120PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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