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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	295A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	5,5mΩ
Drainstrom im Impuls	900A
Verlustleistung	1,07kW
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	279nC
Bereitschaftszeit	200ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN300N10P

Modul; einzelner Transistor; 100V; 295A; SOT227B; schraubbar

Technische Daten