IXFN320N17T2
Modul; einzelner Transistor; 170V; 260A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN320N17T2
Symbol TME:
IXFN320N17T2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 170V | |
Drainstrom | 260A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 5,2mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 800A | |
Verlustleistung | 1,07kW | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 640nC | |
Bereitschaftszeit | 150ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.9 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st