IXFN32N120P
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN32N120P
Symbol TME:
IXFN32N120P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 32A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,31Ω | |
Drainstrom im Impuls | 100A | |
Verlustleistung | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 360nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.27 g
Zertifikate
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