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IXFN340N07

Modul; einzelner Transistor; 70V; 340A; SOT227B; schraubbar; 700W


Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN340N07
Symbol TME:
IXFN340N07

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Drain-Source Spannung
70V
Drainstrom
340A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
4mΩ
Drainstrom im Impuls
1,36kA
Verlustleistung
700W
Technologie
HiPerFET™
Kanal-Art
anreicherungs
Gate-Ladung
0,49µC
Bereitschaftszeit
200ns
Gate-Source Spannung
±30V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht37.42 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 5 stRohr = 10 st