IXFN360N15T2
Modul; einzelner Transistor; 150V; 310A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN360N15T2
Symbol TME:
IXFN360N15T2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 150V | |
Drainstrom | 310A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 900A | |
Verlustleistung | 1,07kW | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 715nC | |
Bereitschaftszeit | 150ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.17 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st