IXFN44N100Q3
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN44N100Q3
Symbol TME:
IXFN44N100Q3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 38A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,22Ω | |
Drainstrom im Impuls | 110A | |
Verlustleistung | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 264nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.84 g
Zertifikate
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* IXFN44N100Q3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 61.02 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 72.62 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st