IXFN520N075T2
Modul; einzelner Transistor; 75V; 480A; SOT227B; schraubbar; 940W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN520N075T2
Symbol TME:
IXFN520N075T2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 75V | ||
Drainstrom | 480A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 1,9mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1,5kA | ||
Verlustleistung | 940W | ||
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 545nC | ||
Bereitschaftszeit | 150ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.06 g
Zertifikate
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* IXFN520N075T2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st