IXFN80N50P
Modul; einzelner Transistor; 500V; 66A; SOT227B; schraubbar; 700W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN80N50P
Symbol TME:
IXFN80N50P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 66A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 200A | |
Verlustleistung | 700W | |
Technologie | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 195nC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXFN80N50PAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st