IXFN82N60Q3
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN82N60Q3
Symbol TME:
IXFN82N60Q3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 66A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 75mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 275nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht27.3 g
Zertifikate
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* IXFN82N60Q3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st