IXFN82N60Q3
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN82N60Q3
Symbol TME:
IXFN82N60Q3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 66A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 75mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 275nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht27.3 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60Q3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 49.49 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 58.90 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 46.56 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 55.41 EUR
Nettopreis für Mengen von 10 st - 44.22 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 52.62 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st