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Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,7kV | |
Drainstrom | 67A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 23mΩ | |
Technologie | SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 376nC | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Mechanische Montage | schraubbar |