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IXFN90N170SK

Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN90N170SK
Symbol TME:
IXFN90N170SK

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Drain-Source Spannung
1,7kV
Drainstrom
67A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
23mΩ
Technologie
SiC
Kanal-Art
anreicherungs
Gate-Ladung
376nC
Eigenschaften von Halbleiterelementen
Kelvin Terminal
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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