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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	68A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	55mΩ
Drainstrom im Impuls	240A
Verlustleistung	780W
Technologie	HiPerFET™, Polar2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	0,22µC
Bereitschaftszeit	250ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN94N50P2

Modul; einzelner Transistor; 500V; 68A; SOT227B; schraubbar; 780W

Technische Daten