IXGN100N170
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXGN100N170
Symbol TME:
IXGN100N170
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,7kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 95A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 600A | ||
Verlustleistung | 735W | ||
Technologie | NPT | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.13 g
Zertifikate
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* IXGN100N170Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st