IXGN320N60A3
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXGN320N60A3
Symbol TME:
IXGN320N60A3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 170A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 1,2kA | ||
Verlustleistung | 735W | ||
Technologie | GenX3™, PT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.12 g
Zertifikate
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* IXGN320N60A3Anzahl Stück (Vielfache: 300)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st