IXGN50N120C3H1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXGN50N120C3H1
Symbol TME:
IXGN50N120C3H1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 240A | ||
Verlustleistung | 460W | ||
Technologie | GenX3™, PT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.05 g
Zertifikate
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* IXGN50N120C3H1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 48.24 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 57.40 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 43.44 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 51.70 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 38.43 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 45.73 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st