IXGN72N60C3H1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXGN72N60C3H1
Symbol TME:
IXGN72N60C3H1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 52A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 360A | ||
Verlustleistung | 360W | ||
Technologie | GenX3™, PT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXGN72N60C3H1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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