IXKN45N80C
Modul; einzelner Transistor; 800V; 44A; SOT227B; schraubbar; 380W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXKN45N80C
Symbol TME:
IXKN45N80C
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 800V | ||
Drainstrom | 44A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 74mΩ | ||
Verlustleistung | 380W | ||
Technologie | CoolMOS™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 360nC | ||
Bereitschaftszeit | 800ns | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXKN45N80CAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 71.25 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 84.78 USD
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Nettopreis für Mengen von 10 st - 56.64 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 67.40 USD