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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	50A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	36mΩ
Drainstrom im Impuls	250A
Verlustleistung	560W
Technologie	CoolMOS™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	500nC
Bereitschaftszeit	580ns
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

IXKN75N60C

Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W

Technische Daten