IXTN170P10P
Modul; einzelner Transistor; -100V; -170A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN170P10P
Symbol TME:
IXTN170P10P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | -100V | |
Drainstrom | -170A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 14mΩ | |
Drainstrom im Impuls | -510A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 240nC | |
Bereitschaftszeit | 176ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PAnzahl Stück (Vielfache: 300)
0 auf Lager bei TME
Produkt auf Sonderbestellung