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Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 340A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Widerstand im Leitungszustand | 3mΩ | ||
Verlustleistung | 830W | ||
Bereitschaftszeit | 270ns | ||
Mechanische Montage | schraubbar |